Samsung подготвя 12nm DDR5 DRAM чипове

Samsung представи първите в Света чипове DDR5 DRAM, които се произвеждат по 12-нанометров процес. Те са с капацитет 16 гигабита и са преминали процес по тестове за съвместимост с платформата на AMD.

Чиповете са по-ефективни и с 23% подобрена производителност спрямо предходното поколение. За повишаване на капацитета е използван материал „high-κ“, а има и нова дизайн технология за подобряване на критични характеристики на връзките.

За производството се разчита на съвременен многослоен литографски процес за постигане на най-високата наситеност и с 20% подобрена продуктивност при плочите. Чиповете постигат скорости на трансфер до 7.2 гигабита в секунда.

Масовото производство започва в началото на 2023, като те ще достигнат до потребителски продукти към края на годината.

Източник: Samsung