Samsung разработва PRAM флаш памет

От Samsung са решили, изглежда, да не прекратяват проучванията си, докато не завладеят вниманието и съзнанието на потребителите. Този път новината е за нов вид памет, записваща много по-бързо данни, което пък ще увеличи скоростта на работа на устройствата, използващи я. Phase-change random access PRAM чипът е енергийно независим, което означава, че информацията, записана на него, ще бъде достъпна дори когато подаването на ток е преустановено. От Samsung твърдят, че новата технология ще работи около 30 пъти по-бързо от стандартната флаш памет. От компанията обещават паметта да бъде достъпна през 2008 г. В момента на пазара има два вида енергонезависими чипове - NOR и NAND. NOR технологията е по-скъпа и е подходяща за директна работа с приложения. NAND чиповете пък са по-евтини и са подходящи за работа с големи файлове. От Samsung обясняват, че PRAM чиповете използват "вертикални диоди" и "триизмерна транзисторна структура" за постигане на намален размер. Освен това, за разлика от NOR и NAND чиповете, разработката на Samsung няма нужда да изтрива старите данни, преди да запише върху тях нови.