Samsung започна производството на 512 GB UFS памет за мобилни устройства

Samsung съобщиха официално, че са започнали масовото производство на първите в индустрията 512 GB флаш памети по стандарта Universal Flash Storage (eUFS). Корейците възнамеряват да влагат чиповете в следващо поколение мобилни устройства. Те използват най-новите 512-гигабитови V-NAND чипове на Samsung, които са с 64 слоя. Новите памети ще имат за цел да направят напълно излишно използването на външни карти памет дори от страна на най-взискателните потребители. От Samsung подчертават, че в случая вградената памет осигурява драстично по-висок трансфер от всяко външно решение. Чиповете достигат пикова скорост на четене до 860 мегабайта в секунда, а при запис скоростта е максимум 255 мегабайта в секунда.

Източник: Samsung