TSMC ще произвежда 3-нанометрови чипове още тази година

Миналата година Samsung Foundry обяви, че ще започне производството на чипове по 3-нанометров процес към средата на 2022 и по 5-нанометров през 2025. Сега и най-големият производител в сектора също сподели пътната си карта в това направление.

TSMC ще започне промишлено производство на първите си N3 (3-нанометрови) чипове през втората половина на 2022. Очаква се те да достигнат до пазара в началото на 2023. След това тайванците планират старта на производството по 2-нанометров процес през 2025.

Компанията възнамерява да използва GAA FET (Gate All Around Field-Effect Transistors) технология за N2 чиповете. Samsung ще използва тази технология в 3-нанометровите си чипове още тази година, с което ще постигне значителни подобрения в ефективността.

TSMC планира да използва общо пет решения за 3-нанометровия си процес, N3, N3E (3nm Enhanced), N3P (3nm Performance Enhanced), N3S (3nm Density Enhanced) и N3X (3nm Ultra High Performance). Всички те използват FinFlex технология.

Източник: Anandtech