Qualcomm представи Snapdragon 835 и технологията Quick Charge 4.0

Qualcomm представи следващия си флагмански чипсет и потвърди, че той ще се произвежда от Samsung по 10-нанометровата FinFET технология на компанията. Чипсетът се нарича Snapdragon 835 и ще се появи в първите мобилни устройства в началото на следващата година – вероятно около мобилния конгрес в края на февруари ще има куп продуктови премиери с него.

Засега компанията не осигурява много подробности за наследника на Snapdragon 820/821, но обещава, че новият процесор ще е по-малък и ще осигури по-висока производителност при по-ниска консумация на енергия, което по принцип важи за всеки нов чип по подобрена производствена технология (Snapdragon 820 например се прави по 14-нанометров процес). Според информацията от Samsung в сравнение с 14-нанометровата FinFET технология новата разработка осигурява до 40% по-ниска консумация на енергия.

Заедно с това Qualcomm представи и следващото поколение на своята технология за бързо зареждане. То носи името Quick Charge 4.0 и обещава да съкрати допълнително времето за снабдяване с енергия. Компанията разкрива, че технологията е с 20% по-бърза и с 30% по-ефективна спрямо Quick Charge 3.0, а зареждане от 5 минути може да осигури енергия за 5 часа на употреба. Компанията посочва, че температурата на устройството остава с до 5 градуса по-ниска, а от 0 до 50% зареждането става за 15 минути.

За разлика от Quick Charge 3.0 новата версия е напълно съвместима със спецификацията на стандарта USB Type-C и поддържа технологията USB Power Delivery. Освен това разработката отговаря на изискванията на Google за зареждане през USB Type-C, които включват по-прецизно отчитане на напрежение, ток и температура за предпазване на устройствата от повреда. Добавена е и нова система за предпазване от презареждане.