Samsung започва масовото производство на чипсети по 10-нанометрова технология

Samsung обяви, че нейното подразделение за полупроводници за пръв път в света започва масовото производство на чипсети по 10-нанометрова FinFET технология. Компанията посочва, че производственият й процес залага на специална 3D структура на транзисторите с допълнителни подобрения в изработката и в дизайна спрямо 14-нанометровите чипове, което води до 30% увеличение в повърхностната ефективност и с 27% по-добра производителност или 40% намаление в консумираната енергия.

Компанията е планирала и подобрен 10-нанометров процес с допълнителен ръст в производителността, който ще се ползва за масово производство на чипсети през втората половина на следващата година. Първите чипове с 10-нанометрови чипсети се очакват на пазара в началото на следващата година – най-вероятно сред тях ще са Snapdragon 830 и Exynos 8895, които ще се ползват и в Galaxy S8.

Източник: Samsung